Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук  (ИПТМ РАН)

Организационно – правовая форма:  Институт является федеральным государственным бюджетным учреждением науки, подведомственным ФАНО России.


Год создания:  1983 (постановление ЦК КПСС и СМ СССР от 29 мая 1983г. и постановление Президиума АН СССР от 29 сентября 1983 г. № 1067).


Основные направления деятельности ИПТМ РАН (Утверждены Постановлением Президиума РАН от 12 февраля 2008г. № 34):

  • физико-химические основы перспективных технологий создания элементной базы нано- и микроэлектроники, а также наносистемной и микросистемной техники;
  • физические основы перспективных методов диагностики структур нано- и микроэлектроники, разработка диагностической аппаратуры;
  • физические основы рентгеновской оптики и методов управления рентгеновским лучом, разработка методов  рентгеновской и электронной литографии и микроскопии;
  • исследование электрических, магнитных и оптических свойств нанометровых и квантоворазмерных структур с целью поиска новых физических принципов построения элементной базы нано- и микроэлектроники, а также  нано- и микросистемной техники;
  • исследование и разработка физико-химических методов получения и анализа высокочистых и функциональных материалов нано- и микроэлектроники.

 

Сведения о руководителе: Рощупкин Дмитрий Валентинович, ВРИО директора ИПТМ РАН, д.ф.-м.н.

Почтовый адрес Института:  Российская Федерация, 142432, Московская область, город Черноголовка, ул.Академика Осипьяна, д. 6.
Контактные телефоны: Тел: (49652)4-40-58, факс: (495)962-80-47,
Сайт Института: www.iptm.ru 
Адрес электронной почты: Этот e-mail адрес защищен от спам-ботов, для его просмотра у Вас должен быть включен Javascript